Керамические подложки и платы
АО «ТЕСТПРИБОР» производит керамические подложки на основе высокотемпературной алюмооксидной керамики (Al2O3) и алюмонитридной керамики (AlN). Подложки предназначены для изготовления коммутационных плат, гибридных интегральных схем, микросборок, термоэлектрических элементов, нагревателей, изоляции посадочных мест полупроводниковых приборов и т.д.
Наличие и срок поставки уточняйте по телефону: +7 (495) 657-87-37
Технологические возможности компании АО «ТЕСТПРИБОР» обеспечивают производство керамических подложек с максимальным размером 115×115 мм.
Варианты конструктивно-технологического исполнения:
- значение шероховатости поверхности Ra от 0,2 до 0,01 мкм в зависимости от требований заказчика;
- толщина керамических подложек и прокладок от 0,5 до 1,5 мм;
- отверстия с конфигураций, определяемой требованиями заказчика;
- сплошное скрайбирование;
- импульсное скрайбирование;
- контуры с конфигураций, определяемой требованиями заказчика;
Так же АО «ТЕСТПРИБОР» предлагает различные варианты металлизации:
- Технология прямого присоединения меди – DBC/DPC
- Технология пайки активными металлами – AMB
- Толстопленочная технология (материал покрытия Ag, Ag-Pd, Ag-Pt, Au, Ag-Cu и Cu)
- Тонкопленочная технология (материал покрытия Cr-Ni-Au, Ti-Pt-Au и др.)
Преимущества применения керамических подложек производства компании АО «ТЕСТПРИБОР»
- Высокая устойчивость к воздействию теплового удара, влаге, химическим реагентам
- Широкий диапазон рабочих температур
- Высокие диэлектрические и тепловые свойства
- Повышенная стабильность размеров и твердости
- Близость коэффициента теплового линейного расширения (КТЛР) к КТЛР основных материалов, применяемых для изготовления изделий микроэлектроники
- Высокая технологичность при применении групповых методов обработки
| ХАРАКТЕРИСТИКА | ЗНАЧЕНИЯ | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Al2O3 94% | Al2O3 96% | Al2O3 99,6% | AlN | BeO | |
| Плотность, г/см3 | 3,5 | 3,72 | 3,75 | 3,2 | 2,85 |
| Толщина, мм | 0,5-1,5 | 0,5-1,5 | 0,5-1,5 | 0,5-1,5 | 0,5 |
| Теплопроводность, Вт/(м•К) | 17 | 28 | 29 | 180-220 | 230-250 |
| КТЛР (20-1000 ℃),10-6/°К | 5,5 | 5 | 7,2 | 4,6 | 7,8-8,5 |
| Диэлектрическая проницаемость (1МГц) на частоте 1 МГц, не менее | 9,8 | 10,6 | 10,6 | 9,8 | 7,5 |
| Диэлектрическая проницаемость (1МГц) на частоте 10 МГц, не менее | 9,2 | 9,3 | 9,3 | 9 | 6,5 |
| Тангенс угла диэлектрических потерь (1МГц) на частоте 1 МГц, не менее | 4х10-4 | 3,0х10-4 | 3,0х10-4 | 5,0х10-4 | 4х10-4 |
| Тангенс угла диэлектрических потерь (1МГц) на частоте 10 МГц, не менее | 1х10-3 | 1,0х10-3 | 1,0х10-3 | 1,0х10-3 | 1х10-3 |
| Прочность на изгиб, Мпа, не менее | 350 | 390 | 450 | 250 | 180 |
| Удельное объемное электрическое сопротивление (20°С), Ом·см | 1012 | 1014 | 1014 | 1014 | 1014 |