Разработка и производство
Одним из важнейших направлений компании является научно-техническая деятельность, позволяющая осуществлять разработку новых технологий, материалов, технических решений.
Подробнее
Поставки ЭКБ
АО «ТЕСТПРИБОР» производит поставки электронной компонентной базы отечественного и импортного производства классов Industrial, Military, Space, прошедшие контрольные испытания по стандарту MIL-STD-883.
Подробнее
Испытания ЭКБ и РЭА
Испытательная лаборатория ЭКБ и РЭА компании проводит предварительные, периодические и сертификационные испытания электронной компонентной базы (ЭКБ) и радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).
Подробнее
Испытания на ЭМС
Испытательная лаборатория ЭМС компании проводит комплексные испытания на электромагнитную совместимость радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).
Подробнее
Продукция
Корпуса для интегральных микросхем
- Корпуса типа CLCC и DLCC
- Корпуса типа CQFP и CFP
- Корпуса типа PGA
- Корпуса типа BGA
- Корпуса типа C-DIP
- Корпуса металлостеклянные
Подробнее
Корпуса для полупроводниковых приборов
- Корпуса типа КТ безвыводные
- Корпуса типа КТ выводные
- Корпуса для источников вторичного электропитания (ИВЭП)
Подробнее
Изделия для электронной промышленности
- Керамические подложки
- Металлизированные керамические платы
- Графитовая технологическая оснастка
- Печатные платы
- Керамические изоляторы
- Специализированные поверхностно-объемные экраны
Подробнее
Новости
2022-06-20
В конференции приняли участие более 70 представителей ведущих предприятий авиационной, аэрокосмической и радиоэлектронной отраслей промышленности: испытательных центров, предприятий-разработчиков РЭА, изготовителей испытательного и измерительного оборудования, научно-исследовательских институтов и конструкторских бюро.
Подробнее
2022-02-21
Испытательная лаборатория ЭМС АО «ТЕСТПРИБОР» ввела в эксплуатацию рабочее место на базе реверберационной камеры. Рабочее место полностью укомплектовано необходимым оборудованием, а также оснащено специализированным ПО для проведения испытаний на воздействие электромагнитных полей высокой интенсивности.
Подробнее
