30.01.2010

Agilent Technologies объявила о прорыве в области разработки широкополосных осциллографов нового поколения

В декабре 2009 года компания Agilent Technologies объявила о своей новой разработке, являющейся настоящим прорывом в области разработки широкополосных осциллографов реального времени. Разработанный компанией чипсет для входных каскадов осциллографов изготовлен по инновационной технологии, в основе которой лежит фосфид индия (InP). Благодаря новому чипсету компания Agilent сможет выпустить новейшие осциллографы с аналоговой полосой пропускания более 16 ГГц уже в первой половине 2010 года.
Инженеры, работающие с высокоскоростными последовательными шинами, такими как USB, SATA и PCI Express, используют осциллографы реального врем для измерения джиттера и других параметров, чтобы обеспечить соответствие выпускаемых изделий отраслевым стандартам. Уже в самые ближайшие годы из-за роста скоростей передачи данных за пределы 8,5 Гб/с, инженерам потребуются осциллографы с аналоговой полосой пропускания более 16 ГГц. Кроме того, новый развивающийся стандарт IEEE 803.2ba 40/100G требует наличия на рынке высокоточных цифровых осциллографов реального времени с возможностью анализа сигналов в полосе до 16 ГГц и выше.
Другие производители сейчас выпускают широкополосные осциллографы реального времени с полосой пропускания более 16 ГГц, обеспечивая расширение полосы пропускания за счет использования таких цифровых технологий, как цифровая обработка сигналов (DSP) и чередование в частотной области (которую также иногда называют цифровым чередованием полос пропускания, DBI). Однако реализация таких технологий приводит к появлению значительного шума и джиттера в исследуемом сигнале, что, несомненно, сказывается на точности измерений.
Используемые в настоящее время технологии на основе кремния (Si) не позволяют создать входной каскад цифрового осциллографа, работающего во всей ширине полосы пропускания более 16 ГГц. Это связано с тем, что транзисторы, созданные по этим технологиям, имеют максимальную частоту переключения около 100 ГГц. Это ограничение по частоте является серьезным барьером на пути к достижению более широкой аналоговой полосы пропускания осциллогрфаа.
Исследования компании Agilent в области InP-технологии позволили расширить возможности хорошо зарекомендовавшей себя технологии на основе фосфида идния-галлия (InGaP), используемой в настоящее время для создания гетероструктурных биполярных транзисторов (heterojunction bipolar transistor, HBT). Новая технология позволит создать транзисторы с частотой переключения более 200 ГГц. InP-технология предлагает разработчикам широкие возможности без ухудшения надежности или технологичности разрабатываемых устройств.
InP-технология имеет следующий ряд преимуществ, важных с точки зрения применения в измерительном оборудовании и по сравнению с используемой в настоящее время технологией на базе арсенида галлия (GaAs):
- значительно более равномерная амплитудно-частотная характеристика, особенно в области высоких частот;
- более высокая точность измерений вследствие более низкого уровня шумов и более равномерной частотной характеристики;
- более высокая надежность вследствие более низкого энергопотребления.