Металлокерамические корпуса микросхем МК 352 (CQFP) типа 4

Корпуса микросхем  МК 352 выводов 4 типа (тип CQFP)
Наличие и срок поставки уточняйте по тел. : +7(495)657-87-37
КОНСТРУКТИВНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ

Металлокерамический 352-выводной корпус микросхем CQFP 352 типа 4 по ГОСТ Р 54844-2011 с изолирующей выводной рамкой. Выводы располагаются равномерно по 4-м сторонам корпуса со стороны установочной плоскости.

СОСТАВ КОРПУСА

Корпус состоит из основания с выводной рамкой и крышки

Покрытие крышки Хим.Н3

Все открытые металлизированные поверхности и металлические части основания корпуса имеют антикоррозионное золотое покрытие

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Количество выводов

352

Количество контактных площадок

436

Шаг выводов, мм

0,5

Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм

48,48х48,48х3,17

Размер монтажной площадки корпуса, не менее, мм

18,81х18,81

Глубина монтажного колодца, не менее, мм

0,50±0,05

Способ герметизации

Шовно-роликовая сварка

Конструктивные особенности

МП металлизирована и электрически соединена с дополнительными контактными площадками А1, А2, А3

и А4. Ободок электрически изолирован от выводных площадок корпуса. Наличие цепей питания и земли. Наличие дифференциальных пар.

Расположение выводов

Равномерно по 4-м сторонам корпуса

Покрытие металлизированных поверхностей и металлических частей основания

Н23л.1,5

Макс. значение повышенной рабочей температуры среды при эксплуатации, ºС

+155

Мин. значение пониженной температуры среды при эксплуатации, транспортировании и хранении, ºС

Минус 60

Значение атмосферного пониженного давления при эксплуатации, Па (мм рт.ст.)

1,3х10-4 (1х10-6)

Значение повышенного давления при эксплуатации, Па (мм.рт.ст.)

5,1х105 (3800)

Диэлектрическая проницаемость керамики корпуса ε (при t=20 ºС), не более

9,8 (на f=1мГц)

Тангенс угла диэлектрических потерь керамики корпуса tgδ (х10-4), не более

24 (на f=1мГц)

Коэффициент температурного линейного расширения (КТЛР) керамики корпуса, ºС-1

7,1х10-6

ЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

Сопротивление изоляции между изолированными токопроводящими элементами корпуса в нормальных климатических условиях (при постоянном напряжении 100 В), не менее, Ом

109

Изоляция между изолированными токопроводящими элементами корпуса должна выдерживать (в нормальных климатических условиях без пробоя и поверхностного перекрытия) испытательное напряжение, не менее, В

200

Сопротивление токопроводящих элементов корпуса, не более, Ом

1,5

Волновое сопротивление дифференциальной пары, Ом

100

Емкость проводников корпуса (между МП и каждым выводом), не более, пФ

-

Емкость связи корпуса (между соседними выводами), не более, пФ

-

Макс. значение тока, пропускаемого через токопроводящие элементы, не менее, А

-

Внутреннее тепловое сопротивление корпусов (для максимального размера источника тепла в нормальных климатических условиях), не более, ºС/Вт

-