Металлокерамический корпус микросхемы 4250.208-1 (тип CQFP)
Металлокерамический 208-выводной корпус 4250.208-1 типа 4 по ГОСТ Р 54844-2011 с изолирующей выводной рамкой. Выводы располагаются равномерно по 4-м сторонам корпуса.
Корпус микросхемы состоит из основания с выводной рамкой и крышки
Покрытие крышки Хим.Н3
Все открытые металлизированные поверхности и металлические части основания корпуса имеют антикоррозионное золотое покрытие
| ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ | |||||
|
Количество выводов |
208 | ||||
|
Количество контактных площадок |
208 | ||||
|
Шаг выводов, мм |
0,5 | ||||
|
Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм |
29,25х29,25х3,17 | ||||
|
Размер монтажной площадки корпуса, не менее, мм |
13,0х13,0 | ||||
|
Глубина монтажного колодца, мм |
0,50±0,05 | ||||
|
Масса основания корпуса, не более, г |
15,0 | ||||
|
Масса крышки, не более, г |
1,0 | ||||
|
Способ герметизации |
Шовно-роликовая сварка | ||||
|
Конструктивные особенности |
МП металлизирована и электрически соединена с выводом № 1, ободок электрически изолирован от выводов корпуса. | ||||
|
Расположение выводов |
Равномерно по 4-м сторонам корпуса | ||||
|
Покрытие металлизированных поверхностей и металлических частей основания |
Н23л.1,5 | ||||
|
Макс. значение повышенной рабочей температуры среды при эксплуатации, ºС |
+155 | ||||
|
Мин. значение пониженной температуры среды при эксплуатации, транспортировании и хранении, ºС |
Минус 60 | ||||
|
Значение атмосферного пониженного давления при эксплуатации, Па (мм рт.ст.) |
1,3х10-4 (1х10-6) | ||||
|
Значение повышенного давления при эксплуатации, Па (мм.рт.ст.) |
5,1х105 (3800) | ||||
|
Диэлектрическая проницаемость керамики корпуса ε (при t=20 ºС), не более |
9,8 (на f=1мГц) | ||||
|
Тангенс угла диэлектрических потерь керамики корпуса tgδ (х10-4), не более |
24 (на f=1мГц) | ||||
|
Коэффициент температурного линейного расширения (КТЛР) керамики корпуса, ºС-1 |
7,1х10-6 | ||||
| ЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ | |
|
Сопротивление изоляции между изолированными токопроводящими элементами корпуса в нормальных климатических условиях (при постоянном напряжении 100 В), не менее, Ом |
109 |
|
Изоляция между изолированными токопроводящими элементами корпуса микросхемы должна выдерживать (в нормальных климатических условиях без пробоя и поверхностного перекрытия) испытательное напряжение, не менее, В |
200 |
|
Сопротивление токопроводящих элементов корпуса, не более, Ом |
0,8 |
|
Емкость проводников корпуса (между МП и каждым выводом), не более, пФ |
2,0 |
|
Емкость связи корпуса (между соседними выводами), не более, пФ |
2,0 |
|
Макс. значение тока, пропускаемого через токопроводящие элементы, не менее, А |
1,0 |
|
Внутреннее тепловое сопротивление корпусов (для максимального размера источника тепла в нормальных климатических условиях), не более, ºС/Вт |
5,0 |