Корпуса микросхем МК 4247.100-1 (тип CQFP)

Корпуса микросхем МК 4247.100-1 (тип CQFP)
Наличие и срок поставки уточняйте по тел. : +7(495)657-87-37
КОНСТРУКТИВНОЕ ИСПОЛНЕНИЕ

Металлокерамический 100-выводной корпус микросхем 4247.100-1 типа 4 по ГОСТ Р 54844-2011 с изолирующей выводной рамкой. Выводы располагаются равномерно по 4-м сторонам со стороны корпуса.

СОСТАВ КОРПУСА

Корпус состоит из основания с выводной рамкой и крышки

Покрытие крышки Хим.Н3

Все открытые металлизированные поверхности и металлические части основания корпуса имеют антикоррозионное золотое покрытие

ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Количество выводов

100

Количество контактных площадок

100

Шаг выводов, мм

0,5

Габаритные размеры тела корпуса, не более, мм

18,18х18,18х2,87

Размер монтажной площадки корпуса, не менее, мм

9,0х9,0

Глубина монтажного колодца, мм

0,50±0,05

Масса основания корпуса, не более, г

6,0

Масса крышки, не более, г

0,5

Способ герметизации

Шовно-роликовая сварка

Конструктивные особенности

МП корпуса 4247.100-3 металлизирована и электрически соединена с выводом №1. Ободок корпуса электрически изолирован от МП и выводов.

Расположение выводов

Равномерно по 4-м сторонам корпуса

Покрытие металлизированных поверхностей и металлических частей основания

Н23л.1,5

Макс. значение повышенной рабочей температуры среды при эксплуатации, ºС

+155

Мин. значение пониженной температуры среды при эксплуатации, транспортировании и хранении, ºС

Минус 60

Значение атмосферного пониженного давления при эксплуатации, Па (мм рт.ст.)

1,3х10-4 (1х10-6)

Значение повышенного давления при эксплуатации, Па (мм.рт.ст.)

5,1х105 (3800)

Диэлектрическая проницаемость керамики корпуса ε (при t=20 ºС), не более

9,8 (на f=1мГц)

Тангенс угла диэлектрических потерь керамики корпуса tgδ (х10-4), не более

24 (на f=1мГц)

Коэффициент температурного линейного расширения (КТЛР) керамики корпуса, ºС-1

7,1х10-6

ЗНАЧЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ

Сопротивление изоляции между изолированными токопроводящими элементами металлокерамического корпуса микросхем в нормальных климатических условиях (при постоянном напряжении 100 В), не менее, Ом

109

Изоляция между изолированными токопроводящими элементами корпуса должна выдерживать (в нормальных климатических условиях без пробоя и поверхностного перекрытия) испытательное напряжение, не менее, В

200

Сопротивление токопроводящих элементов корпуса, не более, Ом

0,8

Емкость проводников корпуса (между МП и каждым выводом), не более, пФ

2,0

Емкость связи корпуса (между соседними выводами), не более, пФ

2,0

Макс. значение тока, пропускаемого через токопроводящие элементы, не менее, А

1,0

Внутреннее тепловое сопротивление корпусов (для максимального размера источника тепла в нормальных климатических условиях), не более, ºС/Вт

5,0

VI всероссийская научно-техническая конференция
"Импортозамещение. Вопросы обеспечения предприятий промышленности электронной компонентной базой"

Зарегистрированные компании

Заявки на регистрацию принимаются до 11 августа 2017 года!

  Спасибо, не интересует